IC产品 DYN - 北京齐天芯科技有限公司

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图片	型号	产品描述	库存状况	包装规格	单位价格 (不含税)
	DYNEX - DIM500BSS06-S000 - 单IGBT 500A 600V	晶体管类型:IGBT 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V 电压, Vceo:600V 封装类型:B 上升时间:150ns 下降时间:250ns 功率, Pd:2907W 功耗:2907W 封装类型:B 晶体管数:1 晶体管极性:N 最大连续电流, Ic:500A 温度 @ 电流测量:65°C 满功率温度:25°C 电压, Vces:600V 电流, Ic @ Vce饱和:375A 电流, Icm 脉冲:1000A	无库存	1	1
	DYNEX - DIM375WHS06-S000 - 晶体管 IGBT 半桥 375A 600V	晶体管极性:N 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V 电压, Vceo:600V 封装类型:W 封装类型:W 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT 上升时间:150ns 下降时间:250ns 功率, Pd:1736W 功耗:1736W 最大连续电流, Ic:375A 温度 @ 电流测量:65°C 满功率温度:25°C 电压, Vces:600V 电流, Ic @ Vce饱和:350A 电流, Icm 脉冲:750A	无库存	1	1
	DYNEX - DIM250WHS06-S000 - 晶体管 IGBT 半桥 250A 600V	晶体管极性:N 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V 电压, Vceo:600V 封装类型:W 封装类型:W 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT 上升时间:130ns 下降时间:250ns 功率, Pd:1157W 功耗:1157W 最大连续电流, Ic:250A 温度 @ 电流测量:65°C 满功率温度:25°C 电压, Vces:600V 电流, Ic @ Vce饱和:250A 电流, Icm 脉冲:500A	无库存	1	1
	DYNEX - DIM200WKS12-A000 - 斩波IGBT 200A 1200V	晶体管类型:IGBT 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V 电压, Vceo:1200V 封装类型:W 上升时间:110ns 下降时间:70ns 功率, Pd:1390W 功耗:1390W 封装类型:W 晶体管数:2 晶体管极性:N 最大连续电流, Ic:200A 温度 @ 电流测量:80°C 满功率温度:25°C 电压, Vces:1200V 电流, Ic @ Vce饱和:200A 电流, Icm 脉冲:400A	无库存	1	1
	DYNEX - DIM200WHS12-A000 - 晶体管 IGBT 半桥 200A 1200V	晶体管极性:N 饱和电压, Vce sat 最??:2.7V 电压, Vceo:1200V 封装类型:W 封装类型:W 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT 上升时间:95ns 下降时间:50ns 功率, Pd:1390W 功耗:1390W 最大连续电流, Ic:200A 温度 @ 电流测量:80°C 满功率温度:25°C 电压, Vces:1200V 电流, Ic @ Vce饱和:200A 电流, Icm 脉冲:400A	无库存	1	1
	DYNEX - DS1104SG16 - 密封式二极管 1849A 1600V	二极管类型:标准恢复电压, Vrrm:1600V 电流, If 平均:1849A 电流, Ifs 最大:20000A 封装形式:G 外径:58.5mm 外部长度/高度:27mm 封装类型:G 正向电压, 于If:1.3V 温度 @ 电流测量:75°C 热阻, 结至外壳 A:0.032°C/W	无库存	1	1
	DYNEX - DS502ST14 - 密封式二极管 866A 1400V	二极管类型:标准恢复电压, Vrrm:1400V 电流, If 平均:866A 电流, Ifs 最大:8000A 封装形式:T 外径:42mm 外部长度/高度:15mm 封装类型:T 正向电压, 于If:1.07V 温度 @ 电流测量:75°C 热阻, 结至外壳 A:0.07°C/W	无库存	1	1
	DYNEX - DS502ST10 - 密封式二极管 866A 1000V	二极管类型:标准恢复电压, Vrrm:1000V 电流, If 平均:866A 电流, Ifs 最大:8000A 封装形式:T 外径:42mm 外部长度/高度:15mm 封装类型:T 正向电压, 于If:1.07V 温度 @ 电流测量:75°C 热阻, 结至外壳 A:0.07°C/W	无库存	1	1
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