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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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STMICROELECTRONICS - VNS7NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SOIC |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):60mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:3.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国2500 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):120mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:1.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国270 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNS1NV04D-E - 场效应管 MOSFET 2N沟道 40V 1.7A 8-SOIC |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):250mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:0.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡82
英国486 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNS14NV04TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A SO-8 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):35mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡 0
英国49 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ830-E - 芯片 驱动器 高压侧 四路 28-SOIC |
驱动芯片类型:高边
针脚数:28
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类??:SOIC
功耗, Pd:6.25W
器件标号:830
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:4
输出电流:6A
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上海 0
新加坡12
英国1181 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ810-E - 芯片 驱动器 高压侧 四路 28-SOIC |
驱动芯片类型:高边
针脚数:28
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类??:SOIC
功耗, Pd:6.25W
器件标号:810
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:4
输出电流:3.5A
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上海 0
新加坡20
英国65 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ690SP - 芯片 固态继电器 高压侧 四路 POWERSO10 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:10
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:PowerSOIC
功耗, Pd:78W
器件标号:690
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:6V
表面安装器件:表面安装
输出数:4
输出电流:10A
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上海 0
新加坡10
英国63 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ660SP-E - 芯片 固态继电器 高压侧 四路 POWERSO10 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:10
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:PowerSOIC
功耗, Pd:114W
器件标号:660
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:6V
表面安装器件:表面安装
输出数:4
输出电流:6A
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上海 0
新加坡 0
英国39 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ5160K-E - 芯片 驱动器 高压侧 四路 POWERSSO24 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:24
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:PowerSSO
器件标号:5160
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:4
输出电流:5A
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上海 0
新加坡17
英国94 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNQ05XSP16TR-E - 芯片 固态继电器 高压侧 四路 36V PWRSO16 |
驱动芯片类型:高边
针脚数:16
工作??度范围:-40°C to +150°C
封装类型:PowerSOIC
功耗, Pd:78W
器件标号:05
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:5.5V
表面安装器件:表面安装
输出数:4
输出电流:5A
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上海 0
新加坡10
英国1186 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNP35NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):13mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:15A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡10
英国351 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.028ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:70V
电流, Id 连续:18A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国644 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNP28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A TO-220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.035ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:42V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国245 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNP20N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.05ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:70V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡20
英国301 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - VNP14NV04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):35mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:45V
电流, Id 连续:7A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
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上海 0
新加坡30
英国362 |
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