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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8 |
晶体管极性:Dual P Channel
???极电流, Id 最大值:2.5A
电压, Vds 最大:12V
开态电阻, Rds(on):115mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:VEC8
针脚数:8
封装类型:VEC8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:18V
电压, Vgs 最高:8V
电流, Id 连续:1.5A
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:12V
开态电阻, Rds(on):49mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:VEC8
针脚数:8
封装类型:VEC8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电压, Vgs 最高:8V
电流, Id 连续:2A
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上海 0
新加坡 0
英国97 |
1 |
1 |
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SANYO - VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):81mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:VEC8
针脚数:8
封装类型:VEC8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:2A
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
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1 |
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SANYO - SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:0.9A
电压, Vds 最大:12V
开态电阻, Rds(on):615mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:650mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SCH6
针脚数:6
封装类型:SCH6
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电压, Vgs 最高:8V
电流, Id 连续:0.5A
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
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SANYO - SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1.5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):215mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SCH6
针脚数:6
封装类型:SCH6
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:1.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - SCH1417-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 15V 1.8A SCH6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1.8A
电压, Vds 最大:15V
开态电阻, Rds(on):160mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:650mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SCH6
针脚数:6
封装类型:SCH6
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:15V
电流, Id 连续:1.8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - SCH1402-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 3A SCH6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):82mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SCH6
针脚数:6
封装类型:SCH6
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:3A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - SCH1302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A SCH6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2A
电压, Vds 最大:-20V
开态电阻, Rds(on):165mohm
电压 @ Rds测量:-4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SCH6
针脚数:6
封装类型:SCH6
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:10V
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上海 0
新加坡 0
英国93 |
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SANYO - SCH1301-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 2.4A SCH6 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2.4A
电压, Vds 最大:-12V
开态电阻, Rds(on):120mohm
电??? @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:8V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SCH6
针脚数:6
封装类型:SCH6
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:2.4A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
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1 |
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SANYO - MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:0.8A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):900mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.4A
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上海 0
新加坡 0
英国95 |
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SANYO - MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:0.4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):1900mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.2A
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
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SANYO - MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:1A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):500mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.5A
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上海 0
新加坡 0
英国90 |
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SANYO - MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:0.2A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):10400mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:800mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:0.05A
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
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SANYO - MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):28mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:6A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国39 |
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SANYO - MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):41mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国39 |
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