| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG6S330UPBF - 晶体管 IGBT |
晶体管 IGBT
|
美国 0
上海 0
美国30
新加坡 0 |
1 |
1 |
  |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG6S320UPBF - 晶体管 IGBT |
晶体管 IGBT
|
美国 0
上海 0
美国30
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SGL160N60UFDTU. - 晶体管 IGBT 超快 600V 160A TO-264 |
晶体管 IGBT 超快 600V 160A TO-264
|
美国 0
上海 0
美国345
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SGS5N150UFTU - 晶体管 IGBT |
晶体管 IGBT
|
美国 0
上海 0
美国29
新加坡15 |
1 |
1 |
|
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - ISL9V5036S3ST - 晶体管 IGBT |
晶体管 IGBT
|
无库存 |
1 |
800 |
|
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - ISL9V5036S3 - 晶体管 IGBT |
晶体管 IGBT
|
停产 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP30B120KD-EP. - 晶体管 IGBT |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:60A
饱和电压, Vce sat 最大:1.2kV
最大功耗:300W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
针脚数:3
封装类型:TO-247AD
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
ON SEMICONDUCTOR - NGD15N41CLT4G - 晶体管 IGBT 15A 410V |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:15A
饱和电压, Vce sat 最大:410V
最大功耗:107W
电压, Vceo:410V
工作温度范围:-55°C to +175°C
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGPS60B120KDP. - 晶体管 IGBT |
晶体管类???:IGBT
集电极直流电流:105A
饱和电压, Vce sat 最大:2.75V
最大功耗:595W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:Super-247
针脚数:3
功耗:595W
封装类型:Super-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:105A
|
上海 0
新加坡 0
英国9 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - ISL9V3040P3. - 晶体管 IGBT N型 400V 21A TO220AB |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:21A
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
最大功耗:150W
电压, Vceo:400V
工作温度范围:-40°C to +175°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:150W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:10A
电压, Vces:420V
表面安装器件:通孔安装
|
停产 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC30KDPBF - 晶体管 IGBT 带二极管 1200V 60A TO-247AC |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:28A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:100W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:42ns
下降时间最大:120ns
功耗:100W
封装类型:TO-247AC
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:28A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:58A
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡4
英国66 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGPS60B120KDP - 晶体管 IGBT 带二极管 1200V 105A SUPER-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:105A
饱和电压, Vce sat 最大:2.75V
最大功耗:595W
电压, Vceo:1.2kV
封装类型:Super-247
针脚数:3
上升时间:32ns
下降时间最大:58ns
功耗:595W
封装类型:Super-247
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:105A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:240A
表面安装器件:通孔安装
|
上海4
新加坡5
英国145 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP30B120KD-EP - 晶体管 IGBT 带二极管 1200V 60A TO-247AD |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:60A
饱和电压, Vce sat 最大:2.66V
最大功耗:300W
电压, Vceo:1.2kV
封装类型:TO-247AD
针脚数:3
上升时间:25ns
下降时间最大:75ns
功耗:300W
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:60A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:120A
表面安装器件:通孔安装
|
上海5
新加坡1
英国 0 |
1 |
1 |
|
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G400LS60 - 晶体管 IGBT功率模块 半桥 |
晶体管 IGBT功率模块 半桥
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG30N60B3 - 晶体管 IGBT |
晶体管 IGBT
|
无库存 |
1 |
1 |
|
| 共 18 页 | 第 1 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
