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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC30UDPBF - 晶体管 IGBT TO-220 每管50 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:23A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:100W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220
针脚数:3
上升时间:21ns
下降时间最大:80ns
功率, Pd:100W
功耗:100W
封装类型:TO-220
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:23A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:92A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
50 |
1 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - GA200SA60UPBF - 晶体管 IGBT SOT-227 每管10只 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
电压, Vceo:600V
封装类型:ISOTOP
上升时间:75ns
下降时间:460ns
功率, Pd:500W
功耗:500W
封装类型:ISOTOP
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:200A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:400A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
10 |
1 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - GA200SA60SPBF - 晶体管 IGBT SOT-227 每管10只 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.1V
电压, Vceo:600V
封装类型:ISOTOP
上升时间:60ns
下降时间:660ns
功率, Pd:630W
功耗:630W
封装类型:ISOTOP
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:200A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:400A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
10 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG30N60A4 - 晶体管 IGBT N型 TO-247 每管30 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:463W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:12ns
下降时间:38ns
功率, Pd:463W
功耗:463W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
总功率, Ptot:463W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:75A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:240A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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无库存 |
30 |
1 |
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INFINEON - SKW25N120 - 晶体管 IGBT 快速 每管30 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:46A
饱和电压, Vce sat 最大:3.6V
最大功耗:313W
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:40ns
下降时间:39ns
功率, Pd:313W
功耗:313W
封装类型:TO-247AC
总功率, Ptot:313W
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:46A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:25A
电流, Icm 脉冲:84A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
30 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP50B60PD1PBF - 晶体管 IGBT 每管25 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
最大功耗:390W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:10ns
功率, Pd:390W
功耗:390W
封装类型:TO-247AC
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:75A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:150A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
25 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SGH80N60UFDTU - 晶体管 IGBT 每管30 |
晶体??类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-3P
针脚数:3
上升时间:50ns
下降时间:50ns
功率, Pd:195W
功耗:195W
封装类型:TO-3P
总功率, Ptot:195W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:80A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:220A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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无库存 |
30 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4064DPBF - 晶体管 IGBT 10A 600V TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:20A
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
最大功耗:101W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220
针脚数:3
上升时间:15ns
功率, Pd:101W
功耗:101W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:20A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:40A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国58 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4045DPBF - 晶体管 IGBT 6A 600V TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:12A
饱和电压, Vce sat 最大:1.7V
最大功耗:77mW
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220
针脚数:3
上升时间:11ns
功率, Pd:77W
功耗:77W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:12A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:20A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
??国61 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGY50NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 19A MAX247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:110A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大??耗:278W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:Max-247
上升时间:17ns
功率, Pd:260W
功耗:260W
封装类型:Max-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:65A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:250A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGW40NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 40A TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:70A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
上升时间:12ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:40A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:230A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国4 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGW35NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 40A TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:70A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:260W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
上升时间:12ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:37A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:100A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国30 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGW30NC60VD - 晶体管 IGBT N 600V 40A TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:80A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
上升时间:11ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:40A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:100A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国7 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGW30NC120HD - 晶体管 IGBT N 1200V 30A TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:60A
饱和电压, Vce sat 最大:2.75V
最大功耗:220W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
上升时间:11ns
功率, Pd:220W
功耗:220W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:30A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:135A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡30
英国120 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - STGW19NC60WD - 晶体管 IGBT N 600V 19A TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:42A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:125W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
上升时间:7ns
功率, Pd:125W
功耗:125W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:22A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:35A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
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