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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - 2SD1047-E - 晶体管NPN TO-3PB |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:140V
截止频率 ft, 典型值:15MHz
功耗, Pd:100W
集电极直流电流:12A
直流电流增益 hFE:100
封装类型:TO-3PB
功耗:100W
器件标记:2SD1047
基极电流, Ib:1.5A
封装类型:TO-3PB
总功率, Ptot:100W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:12A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:160V
电流, Ic hFE:1A
电流, Ic 最大:12A
直流电流增益 hfe, 最小值:100
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:12A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
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上海 0
新加坡18
英国 0 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDT81 - 晶体管NPN TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:60V
截止频率 ft, 典型值:10MHz
封装类型:TO-220
针脚数:3
功耗:125W
封装类型:TO-220
封装类型, 替代:SOT-78B
应用代码:GP
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:7A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:60V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:40
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国10 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BUS48A - 晶体管 NPN TO-3 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:450V
功耗, Pd:175W
封装类型:TO-3
针脚数:2
下降时间典型值:0.3μs
功耗:175W
封装类型:TO-3
总功率, Ptot:175W
晶体管数:1
晶体管类型:高电压开关电源
最大连续电流, Ic:15A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:1000V
电流, Ic hFE:8mA
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:8
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:15A
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDX67C - 晶体管达林顿 TO-3 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:120V
截止频率 ft, 典型值:0.05MHz
功耗, Pd:150W
集电极直流电流:16A
直流电流增益 hFE:5200
封装类型:TO-3
针脚数:2
功耗:150W
器件标记:BDX67C
封装类型:TO-3
总功率, Ptot:150W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:16A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:140V
电流, Ic hFE:10A
电流, Ic 最大:16A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:16A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
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上海102
新加坡 0
英国9 |
1 |
1 |
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SEMELAB - BDX66C - 晶体管达林顿 TO-3 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:120V
截止频率 ft, 典型值:0.06MHz
功耗, Pd:150W
集电极直流电流:16A
直流电流增益 hFE:1000
封装类型:TO-3
针脚数:2
功耗:150W
器件标记:BDX66C
封装类型:TO-3
总功率, Ptot:150W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:16A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:120V
电流, Ic hFE:10A
电流, Ic 最大:16A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:16A
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上海125
新加坡 0
英国169 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BUV20 - 晶体管 NPN TO-3 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:125V
截止频率 ft, 典型值:8MHz
功耗, Pd:250W
集电极直流电流:50A
直流电???增益 hFE:60
封装类型:TO-3
针脚数:2
器件标记:BUV20
封装类型:TO-3
总功率, Ptot:250W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:50A
最小增益带宽 ft:8MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:160V
电流, Ic hFE:25A
电流, Ic 最大:50A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国516 |
1 |
1 |
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STMICROELECTRONICS - BUX98C - 晶体管NPN TO-3 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:700V
封装类型:TO-3 (TO-204AA)
针脚数:2
下降时间 @ Ic:0.8μs
封装类型:TO-3 (TO-204AA)
总功率, Ptot:250W
晶体管数:1
晶体管类型:高电压开关电源
最大连续电流, Ic:30A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:12A
电流, Ic 最大:30A
集电极电流, Ic 平均值:30A
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
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上海8
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - MJL3281AG - 晶体管NPN TO-264 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:260V
截止频率 ft, 典型值:30MHz
功耗, Pd:200mW
集电极直流???流:15A
直流电流增益 hFE:175
封装类型:TO-264
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:200W
器件标记:MJL3281A
封装类型:TO-264
总功率, Ptot:200W
晶体管数:1
晶体管类型:音频功率
最大连续电流, Ic:15A
最小增益带宽 ft:30MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:260V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:15A
电流, Icm 脉冲:25A
直流电流增益 hfe, 最小值:75
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:15A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
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上海 0
新加坡594
英国4553 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - TIP50G - 晶体管NPN TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:400V
截止频率 ft, 典型值:10MHz
功耗, Pd:40W
集电极直流电流:1A
直流电流??益 hFE:10
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:0
功耗:40W
器件标记:TIP50
封装类型:TO-220AB
应用代码:PHVS
总功率, Ptot:40W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:1A
最小增益带宽 ft:10MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:500V
电压, Vces:400V
电流, Ic @ Vce饱和:0.03A
电流, Ic hFE:300mA
电流, Ic 最大:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:1A
饱和电压, Vce sat 最大:1V
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上海 0
新加坡100
英国702 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - TIP42CG - 晶体管 PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:65W
集电极直流电流:6A
直流电流增益 hFE:3
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:2W
封装类型:TO-220AB
总功率, Ptot:65W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:6A
最小增益带宽 ft:3MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:6A
直流电流增益 hfe, 最小值:30
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:6A
饱和电压, Vce sat 最大:-1.5V
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上海 0
新加坡11
英国111 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - TIP41CG - 晶体管NPN TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:65W
集电极直流电流:6A
直流电???增益 hFE:3
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:0
功耗:2W
封装类型:TO-220
封装类型, 替代:SOT-78B
应用代码:PGP
总功率, Ptot:65W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:6A
最小增益带宽 ft:3MHz
电压, Vcbo:40V
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:6A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
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上海 0
新加坡 0
英国613 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - TIP32CG - 晶体管 PNP TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:100V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:40W
集电极直流电流:3A
直流电流增益 hFE:3
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:2W
封装类型:TO-220AB
总功率, Ptot:40W
晶体管数:1
晶体管类型:通用电源
最大连续电流, Ic:3A
最小增益带宽 ft:3MHz
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:100V
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:3A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:3A
饱和电压, Vce sat 最大:-1.2V
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上海 0
新加坡 0
英国1445 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - TIP31CG - 晶体管NPN TO-220 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:40V
截止频率 ft, 典型值:3MHz
功耗, Pd:40W
集电极直流电流:3A
直流电???增益 hFE:3
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:0
功耗:2W
封装类型:TO-220
封装类型, 替代:SOT-78B
应用代码:PGP
总功率, Ptot:40W
晶体管数:1
晶体管类型:双极的
最大连续电流, Ic:3A
最小增益带宽 ft:3MHz
电压, Vcbo:40V
电流, Ic hFE:0.5A
电流, Ic 最大:3A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:1.2V
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上海 0
新加坡40
英国398 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - BDW46G - 晶体管达林顿 TO-220 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:4MHz
功耗, Pd:85W
集电极直流电流:15A
直流电流增益 hFE:1000
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:85W
器件标记:BDW46
封装类型:TO-220
总功率, Ptot:85W
晶体管数:1
晶体管类型:功率达林顿
最大连续电流, Ic:15A
满功率温度:25°C
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:5A
电流, Ic 最大:15A
直流电流增益 hfe, 最小值:1000
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:15A
饱和电压, Vce sat 最大:-2V
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上海 0
新加坡66
英国248 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - BC373G - 晶体管达林顿 TO-92 |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:200MHz
功耗, Pd:625mW
集电极直流电流:1A
直流电流增益 hFE:160
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-92
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
hfe, npn @ 最小Ic:0.1
功耗:625mW
器件标记:BC373
封装类型:TO-92
总功率, Ptot:0.625W
晶体管数:1
晶体管类型:双极达林顿
最大连续电流, Ic:1A
最小增益带宽 ft:100MHz
满功率温度:25°C
电压 Vceo 最高:80V
电压, Vcbo:80V
电流, Ic hFE:0.1A
电流, Ic 最大:1A
直流电流增益 hfe, 最小值:10000
表面安装器???:通孔安装
针脚配置:b
集电极电流, Ic 平均值:1A
饱和电压, Vce sat 最大:1.1V
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上海283
新加坡151
英国 0 |
1 |
5 |
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