 | DIODES INC. - ZXMN6A11DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N型 60V SO8 |
模块配置:Dual N Channel
晶体管极性:Dual N
漏极电流, Id 最大值:3.2A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.18ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:2.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
功率, Pd:1.25W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:3.2A
电流, Idm 脉冲:13.7A
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
