 | DIODES INC. - ZXMC3A17DN8TA - 场效应管 MOSFET N型+P型 30V SO8 |
模块配置:NP
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:5.4A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.07ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:2.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOIC
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
功率, Pd:1.25W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:4.4A
电流, Idm 脉冲:20A
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