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FUJI ELECTRIC - 2MBI200U4B-120-50 - 晶体管模块 双IGBT 200A 1200V 沟槽式   模块配置:1 Pair Series Connection 晶体管极性:Trench 集电极直流电流:300A 饱和电压, Vce sat 最大:2.25V 最大功耗:1.04kW 电压, Vceo:1200V 封装类型:M233 外宽:92mm 外部深度:45mm 外部长度/高度:30mm 封装类型:M233 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT Module 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:螺丝安装 上升时间:320ns 下降时间:410ns 功率, Pd:1040W 功耗:1040W 最大连续电流, Ic:300A 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压, Vces:1200V 电流, Ic @ Vce饱和:200A 电流, Icm 脉冲:600A 隔离电压:2500V 上海 0 新加坡 0 英国4 1 1 删除