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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS4885C - 双MOSFET N+P SO-8   晶体管极性:N/P 电压, Vds 最大:40V 开态电阻, Rds(on):31mohm 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 功耗:2W 封装类型:SOIC 针脚数:8 SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC 晶体管数:2 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 漏极连续电流, Id N沟道:7.5A 漏极连续电流, Id P沟道:6A 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:40V 电流, Id 连续:7.5A 脉冲电流, Idm N沟道(1):20A 脉冲电流, Idm P沟道:20A 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.022ohm 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.031ohm 停产 1 1 删除