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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6000NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD FLMP SSOT-6   晶体管极性:Dual N 开态电阻, Rds(on):0.02ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:0.9V 功耗:1.6mW 封装类型:SSOT 针脚数:6 SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 封装类型:SSOT-6 FLMP 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds:20V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:7.3A 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V 停产 1 1 删除