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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6020C - 双MOSFET N+P SMD FLMP SSOT-6   晶体管极性:NP 开态电阻, Rds(on):27mohm 阈值电压, Vgs th 典型值:1V 功耗:1.6W 封装类型:SSOT 针脚数:6 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 封装类型:SSOT-6 FLMP 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 功率, Pd:1.6W 漏极连续电流, Id N沟道:5.9A 漏极连续电流, Id P沟道:4.2A 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds:20V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:5.9A 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.027ohm 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.055ohm 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V 上海 0 新加坡 0 英国279 1 1 删除