 | VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-62-T4-E3 - 场效应管 MOSFET N/P D-PAK |
模块配置:NP
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.03ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2V
功耗:23.5mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D-PAK
针脚数:5
封装类型:DPAK
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
N沟道栅极电荷 Qg:9.6nC
P沟道栅极电荷 Qg:21nC
功率, Pd:23.5W
器件标号:50
漏极连续电流, Id N沟道:8A
漏极连续电流, Id P沟道:8A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds N沟道 1:40V
电压, Vds P沟道 1:40V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:8A
电流, Idm 脉冲:35A
脉冲电流, Idm N沟道:35A
脉冲电流, Idm P沟道:35A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.03ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.034ohm
阈值电压, Vgs th 最高:100V
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