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ROHM - US6K1TR - 场效应管 MOSFET 双 NN   晶体管极性:Dual N 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.34ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V 封装类型:TUMT6 封装类型:TUMT6 晶体管类型:Low Gate Drive 表面安装器件:表面安装 功率, Pd:1W 电压 Vgs @ Rds on 测量:2.5V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:1.5A 电流, Idm 脉冲:6A 阈值电压, Vgs th 最低:1.5V 阈值电压, Vgs th 最高:0.5V 上海 0 新加坡 0 英国2023 1 1 删除