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DIODES INC. - ZXMN3G32DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SO-8   模块配置:Dual N Channel 晶体管极性:Dual N 漏极电流, Id 最大值:7.1A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.028ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:3V 功耗:2.1W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOIC SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电压, Vgs 最高:20V 电流, Id 连续:7.1A 电流, Idm 脉冲:33.6A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.028ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm 阈值电压, Vgs th 最低:1V 上海 0 新加坡 0 英国55 1 1 删除