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RENESAS - 2SJ218-E - 场效应管 MOSFET P TO-3PFM   晶体管极性:P 漏极电流, Id 最大值:-45A 电压, Vds 最大:60V 开态电阻, Rds(on):0.06ohm 电压 @ Rds测量:-10V 电压, Vgs 最高:-20V 功耗:60W 工作温度范围:-55oC to +150oC 封装类型:TO-3PFM 功率, Pd:60W 封装类型:TO-3PFM 引脚节距:5.45mm 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V 电压, Vds 典型值:-60V 电流, Id 连续:45A 电流, Idm 脉冲:180A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V 隔离电压:4kV 上海 0 新加坡 0 英国164 1 1 删除