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VISHAY SILICONIX - SI4834DY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N SO-8   晶体管极性:N 开态电阻, Rds(on):0.022ohm 封装类型:SOIC 封装类型:SOIC 晶体管类型:MOSFET 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:表面安装 上升时间:10ns 功率, Pd:1.1W 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:7.5A 阈值电压, Vgs th 最低:0.8V 阈值电压, Vgs th 最高:3V 停产 1 1 删除