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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8313PBF.. - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 9.7A SO8   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:9.7A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):15.5mohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V 功耗:2W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:SOIC 针脚数:8 封装类型:SOIC 晶体管类型:Power MOSFET 表面安装器件:表面安装 功率, Pd:2W 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:9.7A 阈值电压, Vgs th 最高:2.35V 无库存 1 1 删除