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STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK   晶体管极性:N Channel 开态电阻, Rds(on):0.28ohm 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:DPAK 封装类型:DPAK 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:600V 电流, Id 连续:5.5A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:3V 上海 0 新加坡 0 英国2265 1 1 删除