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STMICROELECTRONICS - VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC   晶体管极性:Dual N Channel 开态电阻, Rds(on):120mohm 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOIC 封装类型:SOIC 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V 电压, Vds 典型值:45V 电流, Id 连续:1.5A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V 上海 0 新加坡 0 英国270 1 1 删除
STMICROELECTRONICS - VNP35N07-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220   晶体管极性:N Channel 开态电阻, Rds(on):0.028ohm 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-220 封装类型:TO-220 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:70V 电流, Id 连续:18A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:3V 上海 0 新加坡 0 英国644 1 1 删除
STMICROELECTRONICS - VND1NV04TR-E - 场效应管 功率MOSFET 40V 1.7A DPAK   晶体管极性:N Channel 开态电阻, Rds(on):250mohm 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:DPAK 封装类型:DPAK 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V 电压, Vds 典型值:45V 电流, Id 连续:0.5A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V 上海 0 新加坡 0 英国4785 1 1 删除