我挑选的商品

图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量 操作
SEMELAB - BUZ900D - 场效应管 MOSFET N TO-3   晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:16A 电压, Vds 最大:160V 开态电阻, Rds(on):0.75ohm 电压, Vgs 最高:14V 功耗:250W 封装类型:TO-3 针脚数:2 功率, Pd:250W 器件标记:BUZ900D 封装类型:TO-3 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压, Vds 典型值:160V 电流, Id 连续:16A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V 上海 0 新加坡 0 英国38 1 1 删除