 | FUJI ELECTRIC - 2SK3680-01 - 场效应管 MOSFET N TO-247 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:52A
电压, Vds 最大:500V
开态电阻, Rds(on):0.11ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:600W
封装类型:TO-247
针脚数:3
功率, Pd:600W
单脉冲雪崩能量 Eas:802.7mJ
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
引脚节距:5.45mm
总功率, Ptot:600W
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电流, Id 连续:52A
电流, Idm 脉冲:208A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
重复雪崩电流, Iar:26A
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
阈值电压, Vgs th 最低:3V
阈值电压, Vgs th 最高:5V
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