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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SGH80N60UFDTU - 晶体管IGBT   晶体管类型:IGBT 集电极直流电流:80A 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V 最大功耗:195W 电压, Vceo:600V 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-3P 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 上升时间:50ns 下降时间:50ns 功率, Pd:195W 功耗:195W 器件标记:SGH80N60UFDTU 封装类型:TO-3P 总功率, Ptot:195W 晶体管数:1 晶体管极性:N 最大连续电流, Ic:80A 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:220A 表面安装器件:通孔安装 针脚格式:GCE SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 上海20 新加坡28 英国2554 1 1 删除