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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP12N60A4D - 晶体管 IGBT TO-220   晶体管类型:IGBT 集电极直流电流:54A 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V 最大功耗:167W 电压, Vceo:600V 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-220AB 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 上升时间:8ns 下降时间:18ns 功率, Pd:167W 功耗:167W 封装类型:TO-220AB 晶体管数:1 晶体管极性:N沟道 最大连续电流, Ic:54A 满功率温度:25°C 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:96A 表面安装器件:通孔安装 SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 上海 0 新??坡16 英国 0 1 1 删除