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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP3N60A4D - 晶体管 IGBT N TO-220   晶体管类型:IGBT 集电极直流电流:17A 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V 最大功耗:70W 电压, Vceo:600V 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-220AB 针脚数:3 SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) 上升时间:11ns 下降时间:47ns 下降时间典型值:47ns 功率, Pd:70W 功耗:70W 封装类型:TO-220AB 封装类型, 替代:TO-263 晶体管数:1 晶体管极性:N 最大连续电流, Ic:17A 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:40A 表面安装器件:通孔安装 SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 停产 1 1 删除