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SEMIKRON - SKM300GAL128D - 晶体管 IGBT模块 斩波 1200V   晶体管极性:N 饱和电压, Vce sat 最大:1.15V 电压, Vceo:1200V 封装类型:SEMITRANS 3 外宽:105mm 外部深度:61.4mm 封装类型:SEMITRANS 3 晶体管数:1 晶体管类型:IGBT SMD标号:SEMITRANS 3 上升时间:55ns 安装孔中心距:93mm 安装孔直径:5.4mm 最大连续电流, Ic:370A 温度 @ 电流测量:25°C 电压:1200V 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:260A 集电极电流, Ic 平均值:370A 集电极连续电流, Ic 最大值:265A 停产 1 1 删除