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SEMIKRON - SK10GD126ET - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V   晶体管极性:N 饱和电压, Vce sat ??大:2.1V 电压, Vceo:1200V 封装类型:SEMITOP 3 外宽:55mm 外部深度:31mm 封装类型:SEMITOP 3 晶体管数:6 晶体管类型:IGBT 表面安装器件:螺丝安装 SMD标号:SEMITOP3 上升时间:30ns 功率, Pd:2000W 安装孔中心距:52.5mm 安装孔直径:2mm 最大连续电流, Ic:15A 温度 @ 电流测量:25°C 电压:1200V 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:30A 集电极电流, Ic 平均值:15A 集电极连续电流, Ic 最大值:11A 无库存 1 1 删除