我挑选的商品

图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量 操作
TOSHIBA - 2SK2611(F) - 场效应管 MOSFET N TO-3P   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:9A 电压, Vds 最大:900V 开态电阻, Rds(on):1.4ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:150W 封装类型:TO-3P 针脚数:3 功率, Pd:150W 封装类型:TO-3P 引脚节距:5.45mm 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:900V 电流, Id 连续:9A 电流, Idm 脉冲:27A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 上海 0 新加坡28 英国291 1 1 删除