 | ZETEX - ZXMN4A06K - 场效应管 MOSFET N D-PAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:10.9A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.05ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs ??高:20V
功耗:9.5W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:ZXMN 4A06
上升时间:3.8ns
下降时间:10.9ns
功率, Pd 50mm2 PCB:4.2W
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
应用代码:GPSW
时间, trr 典型值:16ns
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:7.2A
电流, Idm 脉冲:35.3A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on 最大:0.05ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
阈值电压, Vgs th 最低:1V
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