 | TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2301CX - 场效应管 MOSFET P 20V SOT-23 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-2.3A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.065ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-8V
功耗:1.25W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOT-23
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:1.25W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:2.3A
电流, Idm 脉冲:10A
表面安装器件:表面安装
通态电阻, Rds on @ Vgs = 2.5V:0.122ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.095ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:-0.45V
阈值电压, Vgs th 最低:-0.45V
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