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TOSHIBA - 2SK3561 - 场效应管 MOSFET N 500V TO-220SIS   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:8A 电压, Vds 最大:500V 开态电阻, Rds(on):0.85ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:30V 功耗:40W 封装类型:TO-220SIS 功率, Pd:40W 封装类型:TO-220SIS 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:500V 电流, Id 连续:8A 电流, Idm 脉冲:32A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 上海 0 新加坡 0 英国345 1 1 删除