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IXYS RF - IXZ210N50L - 场效应管 MOSFET N RF DE275   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:500V 电流, Id 连续:10A 最大功耗:470W 工作温度范围:-55°C to +175°C 封装类型:DE-275 晶体管极性:N 上升时间:4ns 功率, Pd:470W 封装类型:DE-275 开态电阻, Rds(on):1ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V 电压, Vds 典型值:500V 电容值, Ciss 典型值:622pF 电流, Idm 脉冲:60A 阈值电压, Vgs th 典型值:4.95V 上海 0 新加坡 0 英国32 1 1 删除