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SEMIKRON - SK10GH123 - 晶体管 IGBT模块 半桥 1200V   模块配置:Three Phase Inverter 晶体管极性:N Channel 集电极直流电流:16A 饱和电压, Vce sat 最大:3.2V 电压, Vceo:1200V 工作温度范围:-40°C to +150°C 封装类型:SEMITOP 2 外宽:40.5mm 外部深度:28mm 封装类型:SEMITOP 2 晶体管数:4 晶体管类型:IGBT Module 表面安装器件:螺丝安装 SMD标号:SEMITOP2 上升时间:45ns 功率, Pd:1800W 安装孔中心距:38mm 安装孔直径:2mm 最大连续电流, Ic:16A 温度 @ 电流测量:25°C 电压:1200V 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:32A 集电极电流, Ic 平均值:16A 集电极连续电流, Ic 最大值:11A 上海 0 新加坡 0 英国6 1 1 删除