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ON SEMICONDUCTOR - MJ11033/ - 晶体管达林顿 TO-3   晶体管极性:PNP 电压, Vceo:120V 功耗, Pd:300W 集电极直流电流:50A 直流电流增益 hFE:400 工作温度范围:-55°C to +200°C 封装类型:TO-3 针脚数:2 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 功耗:300W 封装类型:TO-3 总功率, Ptot:300W 晶体管数:1 晶体管类型:功率达林顿 最大连续电流, Ic:50A 满功率温度:25°C 电压, Vcbo:120V 电流, Ic hFE:25A 电流, Ic 最大:50A 直流电流增益 hfe, 最小值:1000 表面安装器件:通孔安装 集电极电流, Ic 平均值:50A 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V 上海 0 新加坡5 英国28 1 1 删除