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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGT1N30N60A4D - 晶体管 IGBT 39A 600V   晶体管???性:N 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V 电压, Vceo:600V 封装类型:SOT-227 封装类型:SOT-227 晶体管类型:IGBT 上升时间:12ns 功率, Pd:255W 最大连续电流, Ic:96A 电流, Icm 脉冲:240A 停产 1 1 删除