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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGT1N40N60A4D - 晶体管 IGBT 45A 600V   晶体管???型:IGBT 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V 电压, Vceo:600V 封装类型:SOT-227 SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) 上升时间:18ns 功率, Pd:298W 功耗:298W 封装类型:SOT-227 晶体管极性:N 最大连续电流, Ic:110A 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:300A SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 停产 1 1 删除