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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS8978 - 场效应管 MOSFET N SO-8   晶体管极性:N 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):0.018ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V 功耗:1.6W 封装类型:SOIC 封装类型:SOIC 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 功率, Pd:1.6W 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:7.5A 电流, Idm 脉冲:60A 无库存 1 1 删除