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SEMIKRON - SEMIX503GB126HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1200V   饱和电压, Vce sat 最大:2.15V ??压, Vceo:1.2V 封装类型:SEMiX 3s 封装类型:SEMiX 3s 晶体管类型:Dual Trench IGBT 上升时间:55ns 最大连续电流, Ic:480A 电压, Vrrm:1200V 电流, Icm 脉冲:600A 电流, Ifs 最大:2000A 集电极电流, Ic 平均值:480A 无库存 1 1 删除