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SEMELAB - BUZ900 - 场效应管 MOSFET N TO-3   晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:8A 电压, Vds 最大:160V 开态电阻, Rds(on):1.5ohm 电压, Vgs 最高:1.5V 功耗:125W 封装类型:TO-3 针脚数:2 功率, Pd:125W 器件标记:BUZ900 封装类型:TO-3 封装类型, 替代:TO-204AA 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压, Vds 典型值:160V 电流, Id 连续:8A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V 上海 0 新加坡3 英国818 1 1 删除
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