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IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY2N80P - 场效应管 MOSFET N D-PAK   晶体管极性:N 电压, Vds ??大:800V 开态电阻, Rds(on):6ohm 封装类型:D-PAK 针脚数:3 N沟道栅极电荷 Qg:8nC 功率, Pd:70W 封装类型:DPAK 晶体管类型:Standard 热阻, 结至外壳 A:1.8°C/W 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:800V 电容值, Ciss 典型值:450pF 电流, Id 连续:2A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 时间, trr 最大:600ns 无库存 1 1 删除
929710-10-17-r   原装 现货   面议 删除