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IXYS RF - DE275-501N16A - 场效应管 MOSFET N RF DE275   晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:16A 电压, Vds 最大:500V 开态电阻, Rds(on):0.4ohm 功耗:590W 封装类型:DE-275 针脚数:6 上升时间:2ns 功率, Pd:590W 封装类型:DE-275 晶体管类型:MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V 电压, Vds 典型值:500V 电容值, Ciss 典型值:1800pF 电流, Id 连续:16A 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 无库存 1 1 删除
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