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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP20N60A4 - 晶体管N IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:70A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:290W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:12ns
下降时间:32ns
功率, Pd:290W
功耗:290W
封装类型:TO-220AB
总功率, Ptot:290W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:70A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:280A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP12N60A4 - 晶体管N IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:54A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:167W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:8ns
下降时间:18ns
功率, Pd:167W
功耗:167W
封装类型:TO-220AB
总功率, Ptot:167W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:54A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:96A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG7N60A4D - 晶体管 IGBT N TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:34A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:125W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:11ns
下降时间:45ns
下降时间典型值:45ns
功率, Pd:125W
功耗:125W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:34A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:56A
表面安装器件:通孔安装
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG7N60A4 - 晶体管N IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:11ns
下降时间:45ns
功率, Pd:125W
功耗:125W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:34A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:56A
针脚格式:GCE
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG40N60A4 - 晶体管N IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:625W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:18ns
下降时间:35ns
功率, Pd:625W
功耗:625W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
总功率, Ptot:625W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:75A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:300A
针脚格式:GCE
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGP40N6S2 - 晶体管N IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:290W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
上升时间:10ns
下降时间:55ns
功率, Pd:290W
功耗:290W
封装类型:TO-220AB
总功率, Ptot:290W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:75A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:180A
针脚格式:GCE
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGP30N6S2D - 晶体管 IGBT N TO-220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:10ns
下降时间:53ns
下降时间典型值:53ns
功率, Pd:167W
功耗:167W
封装类型:TO-220AB
封装类型, 替代:TO-263
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:45A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:108A
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGP30N6S2 - 晶体管N IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:10ns
下降时间:53ns
功率, Pd:167W
功耗:167W
封装类型:TO-220AB
总功率, Ptot:167W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:45A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:108A
针脚格式:GCE
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGP20N6S2D - 晶体管 IGBT N TO-220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:4.5ns
下降时间:50ns
下降时间典型值:50ns
功率, Pd:125W
功耗:125W
封装类型:TO-220AB
封装类型, 替代:TO-263
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:28A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:40A
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGP20N6S2 - 晶体管N IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:4.5ns
下降时间:50ns
功率, Pd:125W
功耗:125W
封装类型:TO-220AB
总功率, Ptot:125W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:28A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:40A
针脚格式:GCE
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGL40N120AND - 晶体管IGBT NPT TO-264 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:64A
饱和电压, Vce sat 最大:3.2V
最大功耗:500W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-264
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:20ns
功率, Pd:500W
功耗:500W
封装类型:TO-264
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:64A
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:40A
电流, Icm 脉冲:120A
表面安装器件:通孔安装
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGH60N6S2 - 晶体管N IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:625W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:15ns
下降时间:50ns
功率, Pd:625W
功耗:625W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
总功率, Ptot:625W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:75A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:320A
针脚格式:GCE
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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停产 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGH50N3 - 晶体管 IGBT N TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.4V
最大功耗:463W
电压, Vceo:300V
封装类型:TO-247
上升时间:13ns
功率, Pd:3.7W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:75A
电压, Vces:300V
电流, Icm 脉冲:240A
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGH40N6S2D - 晶体管 IGBT N TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:290W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:10ns
下降时间:55ns
下降时间典型值:55ns
功率, Pd:290W
功耗:290W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:75A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:180A
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无库存 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGH40N6S2 - 晶体管N IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:10ns
下降时间:55ns
功率, Pd:290W
功耗:290W
器件标记:FGH40N6S2
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
总功率, Ptot:290W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:75A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:180A
针脚格式:GCE
SVHC(??度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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新加坡 0
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