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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGH30N6S2D - 晶体管 IGBT N TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:28A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:167W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:17ns
下降时间:53ns
下降时间典型值:53ns
功率, Pd:167W
功耗:167W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:45A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:108A
表面安装器件:通孔安装
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国148 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGH30N6S2 - 晶体管N IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:10ns
下降时间:53ns
功率, Pd:167W
功耗:167W
封装类型:TO-247
封装类型, 替代:SOT-249
总功率, Ptot:167W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:45A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:108A
针脚格式:GCE
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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停产 |
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1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA40N60UFD - 晶体管 IGBT N TO-3P |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:40A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
最大功耗:160W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:37ns
下降时间:100ns
下降时间典型值:35ns
功率, Pd:160W
功耗:160W
封装类型:TO-3P
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:40A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:180A
表面安装器件:通孔安装
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国178 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGS30B60KPBF - 晶体管IGBT D2-PAK |
晶???管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.95V
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
上升时间:28ns
功率, Pd:370W
功耗:370W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:78A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:120A
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:78A
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP20B120U-EP - 晶体管 IGBT TO-247AC |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:40A
饱和电压, Vce sat 最大:3.2V
最大功耗:300W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:30ns
下降时间最大:35ns
功率, Pd:300W
功耗:300W
封装类型:TO-247AC
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:20A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:120A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国98 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4RC10UDPBF - 晶体管 IGBT D-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:38W
电压, Vceo:600V
封装类型:D-PAK
针脚数:3
上升时间:16ns
功率, Pd:38W
功耗:38W
封装类型:D-PAK
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:5A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:34A
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PSH71UPBF - 晶体管 IGBT TO-274AA |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:1200V
封装类型:Super-247
针脚数:3
上升时间:70ns
下降时间最大:260ns
功率, Pd:350W
功耗:350W
封装类型:Super-247
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:50A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:200A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PSH71UDPBF - 晶体管 IGBT TO-274AA |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:99A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:350W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AA
针脚数:3
上升时间:77ns
功率, Pd:350W
功耗:350W
封装类型:TO-247AA
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:50A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:200A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国20 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PH40UD2-EP - 晶体管 IGBT TO-247AD |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:3.1V
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-247AD
针脚数:3
上升时间:26ns
下降时间最大:200ns
功率, Pd:160W
功耗:160W
封装类型:TO-247AD
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:21A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:82A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC40KPBF - 晶体管IGBT TO-247AC |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:42A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:160W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:15ns
功率, Pd:160W
功耗:160W
封装类型:TO-247AC
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:42A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:84A
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:42A
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上海 0
新加坡 0
英国36 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC30SPBF - 晶体管IGBT TO-247AC |
晶体???类型:IGBT
集电极直流电流:34A
饱和电压, Vce sat 最大:1.6V
最大功耗:100W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:19ns
下降时间最大:590ns
功率, Pd:100W
功耗:100W
封装类型:TO-247AC
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:34A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:68A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国105 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC30KPBF - 晶体管IGBT TO-247AC |
晶体???类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:100W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247AC
上升时间:28ns
功率, Pd:100W
功耗:100W
封装类型:TO-247AC
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:28A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:58A
表面安装器件:通孔安装
集电极电流, Ic 平均值:28A
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上海 0
新加坡 0
英国127 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4PC20UPBF - 晶体管 IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:250V
最大功耗:60W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
上升时间:44ns
功率, Pd:200W
封装类型:TO-247
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:15A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:196A
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无库存 |
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1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC30F-SPBF - 晶体管 IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.8V
最大功耗:100W
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:15ns
功率, Pd:100W
功耗:100W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:31A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:120A
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC20K-SPBF - 晶体管IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
上升时间:27ns
功率, Pd:60W
功耗:38W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:16A
电流, Icm 脉冲:32A
表面安装器件:表面安装
集电极电流, Ic 平均值:16A
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无库存 |
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