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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TOSHIBA - GT15Q301 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N) |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:50ns
功率, Pd:170W
功耗:170W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:15A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:30A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT15J301 - 晶体管 IGBT 600V TO-220NIS |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:15A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:35W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220NIS
上升时间:120ns
下降时间典型值:150ns
功率, Pd:35W
功耗:35W
封装类型:TO-220NIS
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:15A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:30A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT10Q301 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N) |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:70ns
功率, Pd:140W
功耗:140W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:10A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:20A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT10J303 - 晶体管 IGBT 600V TO-220NIS |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220NIS
上升时间:120ns
下降时间典型值:150ns
功率, Pd:30W
功耗:30W
封装类型:TO-220NIS
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:10A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:20A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡1
英国10 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT5J311 - 晶体管 IGBT 600V TO-220NIS |
晶体管类型:HP SW IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220NIS
上升时间:120ns
下降时间典型值:150ns
功率, Pd:45W
功耗:45W
封装类型:TO-220NIS
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:5A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:10A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT50J102 - 晶体管 IGBT 600V TO-3P(LH) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:200W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (LH)
上升时间:120ns
下降时间典型值:150ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-3P (LH)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:50A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:100A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡9
英国67 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT25Q102 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(LH) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:25A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1200V
工作温度范???:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (LH)
上升时间:100ns
下降时间典型值:160ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-3P (LH)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:25A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:50A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡108
英国38 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT20J101 - 晶体管 IGBT 600V TO-3P(N) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:20A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:130W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55??C to +150°C
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:12ns
功率, Pd:130W
功耗:130W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:20A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:40A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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上海 0
新加坡 0
英国170 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT15Q102 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:15A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:170W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:50ns
功率, Pd:170W
功耗:170W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:15A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:30A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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上海 0
新加坡 0
英国55 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - GT10Q101 - 晶体管 IGBT 1200V TO-3P(N) |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:10A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:140W
电压, Vceo:1200V
封装类型:TO-3P (N)
针脚数:3
上升时间:70ns
功率, Pd:140W
功耗:140W
封装类型:TO-3P (N)
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:10A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:20A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXSR40N60BD1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
电压, Vceo:600V
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:50ns
下降时间:180ns
下降时间典型值:180ns
功率, Pd:170W
功耗:170W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:70A
热阻, 结至外壳 A:0.73°C/W
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:150A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXSR35N120BD1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:70A
饱和电压, Vce sat 最大:3.6V
最???功耗:250W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:180ns
下降时间:180ns
功耗:250W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:70A
热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W
电压, Vces:1200V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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无库存 |
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1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR60N60C2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最???功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:35ns
下降时间:35ns
功耗:250W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:75A
热阻, 结至外壳 A:0.65°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国232 |
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1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR60N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:35ns
下降时间:35ns
功耗:250W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:75A
热阻, 结至外壳 A:0.32°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Single
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上海 0
新加坡 0
英国26 |
1 |
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IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR60N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:75A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOPLUS-247
上升时间:100ns
下降时间:100ns
功耗:250W
封装类型:ISOPLUS-247
晶体管极性:NPN
最大连续电流, Ic:75A
热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:Copack (FRD)
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上海 0
新加坡 0
英国72 |
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