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晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

最大功耗

  • 167W
  • 170W
  • 375W
  • 65W
  • 41W
  • 70W
  • 52W
  • 107W
  • 28W
  • 390W
  • 125W
  • 290W
  • 99W
  • 595W
  • 313W
  • 625W
  • 150W
  • 206W
  • 260W
  • 56W
  • 38W
  • 220W
  • 164W
  • 195W
  • 120W
  • 35W
  • 140W
  • 156W
  • 101W
  • 463W
  • 186W
  • 60W
  • 330W
  • 77mW
  • 200W
  • 49W
  • 255W
  • 44W
  • 500W
  • 130W
  • 178W
  • 63W
  • 100W
  • 350W
  • 300W
  • 39W
  • 250W
  • 240W
  • 160W

最大连续电流, Ic

  • 500A
  • 8.5A
  • 7A
  • 70A
  • 51A
  • 4A
  • 30A
  • 22A
  • 100A
  • 95A
  • 60A
  • 37A
  • 23A
  • 9A
  • 600A
  • 98A
  • 34A
  • 105A
  • 55A
  • 17A
  • 36A
  • 80A
  • 42A
  • 6.2A
  • 19A
  • 21A
  • 49A
  • 40A
  • 26A
  • 64A
  • 8A
  • 65A
  • 1.3A
  • 48A
  • 12A
  • 900A
  • 28A
  • 10A
  • 16A
  • 6A
  • 25A
  • 24A
  • 3A
  • 11A
  • 14A
  • 90A
  • 45A
  • 105A
  • 13A
  • 46A
  • 18A
  • 20A
  • 31A
  • 54A
  • 38A
  • 15A
  • 200A
  • 5A
  • 96A
  • 110A
  • 78A
  • 75A
  • 300A
  • 50A
  • 56A
  • 32A
  • 57A

总功率, Ptot

  • 200W
  • 463W
  • 195W
  • 104W
  • 290W
  • 70W
  • 125W
  • 625W
  • 167W
  • 313W

重量

  • 0.4kg
  • 0.5kg

针脚格式

  • 1G, 2C, 3E
  • GCE
  • GCE

针脚配置

  • Single
  • With flywheel diode
  • G(1), C(2), E(3)
  • Copack (FRD)

针脚数

  • 3
  • 5

下降时间

  • 18ns
  • 32ns
  • 75ns
  • 53ns
  • 24ns
  • 46ns
  • 95ns
  • 660ns
  • 47ns
  • 50ns
  • 720ns
  • 82ns
  • 39ns
  • 1200ns
  • 79ns
  • 70ns
  • 55ns
  • 120ns
  • 180ns
  • 124ns
  • 160ns
  • 250ns
  • 76ns
  • 110ns
  • 100ns
  • 460ns
  • 40ns
  • 2000ns
  • 11500ns
  • 80ns
  • 1600ns
  • 220ns
  • 65ns
  • 1400ns
  • 35ns
  • 170ns
  • 72ns
  • 300ns
  • 3600ns
  • 38ns
  • 45ns

下降时间典型值

  • 160ns
  • 35ns
  • 53ns
  • 30ns
  • 45ns
  • 180ns
  • 50ns
  • 40ns
  • 55ns
  • 79ns
  • 47ns
  • 150ns
  • 32ns
  • 220ns
  • 140ns

下降时间最大

  • 35ns
  • 1080ns
  • 760ns
  • 730ns
  • 80ns
  • 200ns
  • 500ns
  • 220ns
  • 590ns
  • 124ns
  • 638ns
  • 58ns
  • 120ns
  • 140ns
  • 940ns
  • 75ns
  • 150ns
  • 29ns
  • 300ns
  • 97ns
  • 260ns
  • 190ns
  • 170ns
  • 110ns

温度 @ 电流测量

  • 80°C
  • 65°C
  • 25°C
  • 100°C

外宽

  • 108mm
  • 110mm

外部深度

  • 62mm
  • 80mm

热阻, 结至外壳 A

  • 0.521°C/W
  • 0.33°C/W
  • 2.78°C/W
  • 0.65°C/W
  • 0.6°C/W
  • 0.75°C/W
  • 0.45°C/W
  • 0.5°C/W
  • 1.04°C/W
  • 1°C/W
  • 0.57°C/W
  • 0.74°C/W
  • 2°C/W
  • 0.32°C/W
  • 0.67°C/W
  • 0.735°C/W
  • 0.42°C/W
  • 4.16°C/W
  • 0.73°C/W
  • 3°C/W
  • 0.83°C/W

上升时间

  • 7ns
  • 21ns
  • 70ns
  • 460ns
  • 57ns
  • 10ns
  • 34ns
  • 82ns
  • 250ns
  • 40ns
  • 23ns
  • 52ns
  • 41ns
  • 22ns
  • 60ns
  • 18ns
  • 33ns
  • 32ns
  • 270ns
  • 75ns
  • 96ns
  • 29ns
  • 8ns
  • 600ns
  • 4.5ns
  • 24ns
  • 30ns
  • 150ns
  • 26ns
  • 12ns
  • 42ns
  • 8.5ns
  • 56ns
  • 35ns
  • 17ns
  • 80ns
  • 19ns
  • 36ns
  • 65ns
  • 120ns
  • 6.5ns
  • 27ns
  • 160ns
  • 37ns
  • 6ns
  • 200ns
  • 25ns
  • 180ns
  • 15ns
  • 28ns
  • 13ns
  • 110ns
  • 4500ns
  • 20ns
  • 100ns
  • 44ns
  • 220ns
  • 150000ns
  • 9.6ns
  • 77ns
  • 5ns
  • 11ns
  • 50ns
  • 45ns
  • 39ns
  • 16ns

器件标记

  • SGH80N60UFDTU
  • BUP213
  • FGH40N6S2

耐短路时间最短

  • 10μs
  • 10μs

满功率温度

  • 100°C
  • 25°C
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR60N60B2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR60N60B2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:75A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2V
  • 最大功耗:250W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 上升时间:100ns
  • 下降时间:100ns
  • 功耗:250W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:75A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W
  • 电压, Vces:600V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Single
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国113    		 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR50N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR50N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:68A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
  • 最???功耗:200W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 上升时间:65ns
  • 下降时间:65ns
  • 功耗:200W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:60A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.6°C/W
  • 电压, Vces:600V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Copack (FRD)
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国6    		 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:56A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
  • 最大功耗:170W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 上升时间:32ns
  • 下降时间:32ns
  • 功耗:170W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:56A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W
  • 电压, Vces:600V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Single
    		• 上海 0
    新加坡20
    英国67    		 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:60A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
  • 最???功耗:167W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 上升时间:82ns
  • 下降时间:82ns
  • 功耗:167W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:60A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.75°C/W
  • 电压, Vces:600V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Copack (FRD)
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国319    		 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60B2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR40N60B2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:60A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
  • 最大功耗:167W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 上升时间:82ns
  • 下降时间:82ns
  • 功耗:167W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:60A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W
  • 电压, Vces:600V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Single
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国49    		 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR35N120B - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR35N120B - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:70A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3.3V
  • 最大功耗:200W
  • 电压, Vceo:1.2kV
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 上升时间:160ns
  • 下降时间:160ns
  • 功耗:200W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:70A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.5°C/W
  • 电压, Vces:1200V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Single
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国2    		 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR32N170H1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR32N170H1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:26A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3.5V
  • 最大功???:200W
  • 电压, Vceo:1.7kV
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 上升时间:250ns
  • 下降时间:250ns
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:38A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.65°C/W
  • 电压, Vces:1700V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Copack (FRD)
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国202    		 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR32N170AH1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR32N170AH1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:26A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:5.2V
  • 最???功耗:200W
  • 电压, Vceo:1.7kV
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 上升时间:50ns
  • 下降时间:50ns
  • 功耗:200W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:26A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.65°C/W
  • 电压, Vces:1700V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Copack (FRD)
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国41    		 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR16N170AH1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR16N170AH1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:16A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:5V
  • 最大功耗:120W
  • 电压, Vceo:1.7kV
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 上升时间:40ns
  • 下降时间:40ns
  • 功耗:120W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:16A
  • 热阻, 结至外壳 A:1.04°C/W
  • 电压, Vces:1700V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Copack (FRD)
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国307    		 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR120N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGR120N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 上升时间:45ns
  • 下降时间:45ns
  • 功耗:300W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:75A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.42°C/W
  • 电压, Vces:600V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Single
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国10    		 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGF32N170 - 晶体管 IGBT ISOI4-PAC IXYS SEMICONDUCTOR - IXGF32N170 - 晶体管 IGBT ISOI4-PAC
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:44A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3.5V
  • 最大功耗:200W
  • 电压, Vceo:1.7kV
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOi4-PAC
  • 封装类型:ISOi4-PAC
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:26A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.65°C/W
  • 电压, Vces:1700V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Single
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60C2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60C2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220
  • 晶体管类型:IGBT
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3V
  • 封装类型:ISOPLUS-220
  • 上升时间:35ns
  • 下降时间:35ns
  • 功耗:63W
  • 封装类型:ISOPLUS-220
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:20A
  • 热阻, 结至外壳 A:2°C/W
  • 电压, Vces:600V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Copack (FRD)
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国24    		 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60C2 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220
  • 晶体管类型:IGBT
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3V
  • 封装类型:ISOPLUS-220
  • 上升时间:35ns
  • 下降时间:35ns
  • 功耗:63W
  • 封装类型:ISOPLUS-220
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:20A
  • 热阻, 结至外壳 A:2°C/W
  • 电压, Vces:600V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Single
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220 IXYS SEMICONDUCTOR - IXGC16N60B2D1 - 晶体管 IGBT ISOPLUS220
  • 晶体管类型:IGBT
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.3V
  • 封装类型:ISOPLUS-220
  • 上升时间:80ns
  • 下降时间:80ns
  • 功耗:63W
  • 封装类型:ISOPLUS-220
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:28A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.83°C/W
  • 电压, Vces:600V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Copack (FRD)
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS SEMICONDUCTOR - IXER60N120 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247 IXYS SEMICONDUCTOR - IXER60N120 - 晶体管 IGBT ISOPLUS247
  • 晶体管类型:IGBT
  • 集电极直流电流:95A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
  • 最大功耗:375W
  • 电压, Vceo:1.2kV
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 上升时间:50ns
  • 下降时间:50ns
  • 功耗:375W
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:NPN
  • 最大连续电流, Ic:95A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.33°C/W
  • 电压, Vces:1200V
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 针脚配置:Single
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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