| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
ON SEMICONDUCTOR - NGD15N41CLT4G. - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
|
无库存 |
1 |
1 |
  |
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGPS60B120KDP.. - 晶体管 IGBT Super-247 105A 1200V |
晶体管 IGBT Super-247 105A 1200V
|
美国 0
上海 0
美国 0
新加坡10 |
1 |
1 |
|
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP2N120CN - 晶体管 IGBT |
晶体管 IGBT
|
无库存 |
1 |
10 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGPF7N60RUFDTU - 晶体管 IGBT CO-PAK TO-220F 7A 600V |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:14A
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:41W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220F
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:60ns
下降时间:170ns
功率, Pd:41W
功耗:41W
封装类型:TO-220F
晶体管数:1
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:7A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:3°C/W
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:7A
电流, Icm 脉冲:21A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:With flywheel diode
|
上海 0
新加坡 0
英国289 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA90N30TU - 晶体管 IGBT TO-3P |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.4V
电压, Vceo:300V
封装类型:TO-3P
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:200ns
下降时间:110ns
功率, Pd:219W
功耗:219W
封装类型:TO-3P
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:90A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:0.57°C/W
电压, Vces:300V
电流, Ic @ Vce饱和:20A
电流, Icm 脉冲:220A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡 0
英国9 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA90N30DTU - 晶体管 IGBT TO-3P |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.4V
电压, Vceo:300V
封装类型:TO-3P
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:200ns
下降时间:110ns
功率, Pd:219W
功耗:219W
封装类型:TO-3P
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:90A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:0.57°C/W
电压, Vces:300V
电流, Ic @ Vce饱和:20A
电流, Icm 脉冲:220A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:With flywheel diode
|
上海 0
新加坡 0
英国1 |
1 |
1 |
|
 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FGA15N120ANTDTU - 晶体管 IGBT NPT TO-3P 1200V |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:30A
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
最大功耗:186W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
上升时间:20ns
下降时间:100ns
功率, Pd:186W
功耗:186W
封装类型:TO-3P
晶体管数:1
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:30A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
热阻, 结至外壳 A:0.67°C/W
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:15A
电流, Icm 脉冲:45A
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:通孔安装
针脚配置:With flywheel diode
|
停产 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STGD3NB60SD-1 - 晶体管 IGBT I-PAK |
晶体管类型:IGBT - PowerMESH - Low Drop
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
封装类型:I-PAK
上升时间:150000ns
下降时间:720ns
功率, Pd:48W
功耗:48W
封装类型:I-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:3A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:25A
表面安装器件:通孔安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STGD10NC60KDT4 - 晶体管 IGBT D-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2V
电压, Vceo:600V
封装类型:D-PAK
上升时间:6.5ns
下降时间:82ns
功率, Pd:60W
功耗:60W
封装类型:D-PAK
封装类型, 替代:TO-252
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:10A
温度 @ 电流测量:100°C
满功率温度:100°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:40A
表面安装器件:表面安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP4062DPBF - 晶体管 IGBT COPAK TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:48A
饱和电压, Vce sat 最大:1.65V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-247
上升时间:22ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:48A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:96A
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡96
英国 0 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4062DPBF - 晶体管 IGBT COPAK TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:48A
饱和电压, Vce sat 最大:1.65V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
上升时间:22ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:48A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:96A
表面安装器件:通孔安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4061DPBF - 晶体管 IGBT 600V TO-220 |
晶体管类???:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.65V
最大功耗:206W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220
针脚数:3
上升时间:25ns
功率, Pd:206W
功耗:206W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:36A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:72A
表面安装器件:通孔安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4060DPBF - 晶体管 IGBT 600V TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:16A
饱和电压, Vce sat 最大:1.55V
最大功耗:99W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
上升时间:15ns
功率, Pd:99W
功耗:99W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:16A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:32A
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡 0
英国4 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4059DPBF - 晶体管 IGBT 600V TO-220 |
晶体管类???:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.75V
最大功耗:56W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220
针脚数:3
上升时间:10ns
功率, Pd:56W
功耗:56W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:8A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:16A
表面安装器件:通孔安装
|
无库存 |
1 |
5 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4056DPBF - 晶体管 IGBT COPAK TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:24A
饱和电压, Vce sat 最大:1.55V
最大功耗:140W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220
针脚数:3
上升时间:17ns
功率, Pd:140W
功耗:140W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:24A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:48A
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡92
英国80 |
1 |
1 |
|
| 共 18 页 | 第 6 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
