| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGI4065PBF - 晶体管 IGBT 300V FULLPAK-220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.25V
最大功耗:39W
电压, Vceo:300V
封装类型:TO-220FP
针脚数:3
功率, Pd:39W
封装类型:TO-220FP
封装类型, 替代:TO-220 Fullpak
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:28A
电流, Icm 脉冲:170A
|
无库存 |
1 |
1 |
  |
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4065PBF - 晶体管 IGBT 300V TO-220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.75V
最大功耗:178W
电压, Vceo:300V
封装类型:TO-220
上升时间:26ns
功率, Pd:178W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:70A
电流, Icm 脉冲:205A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGB4055PBF - 晶体管 IGBT 300V TO-220 |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.7V
最大功耗:255W
电压, Vceo:300V
封装类型:TO-220
上升时间:39ns
功率, Pd:255W
功耗:255W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:110A
电压, Vces:300V
电流, Icm 脉冲:270A
表面安装器件:通孔安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4RC10UDTRLP - 晶体管 IGBT COPAK D-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
最大功耗:38W
电压, Vceo:600V
封装类型:D-PAK
上升时间:16ns
功率, Pd:38W
功耗:38W
封装类型:D-PAK
封装类型, 替代:TO-252
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:8.5A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:34A
表面安装器件:表面安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4RC10SDTRPBF - 晶体管 IGBT COPAK D-PAK |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:14A
饱和电压, Vce sat 最大:1.1V
最大功耗:38W
电压, Vceo:600V
封装类型:D-PAK
针脚数:3
上升时间:32ns
功率, Pd:38W
功耗:38W
封装类型:D-PAK
封装类型, 替代:TO-252
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:14A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:18A
表面安装器件:表面安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4RC10KDTRPBF - 晶体管 IGBT COPAK D-PAK |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:9A
饱和电压, Vce sat 最大:2.39V
最大功耗:38W
电压, Vceo:600V
封装类型:D-PAK
针脚数:3
上升时间:24ns
功率, Pd:38W
功耗:38W
封装类型:D-PAK
封装类型, 替代:TO-252
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:9A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:18A
表面安装器件:表面安装
|
上海 0
新加坡 0
英国1847 |
1 |
1 |
|
 |
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC20KD-STRLP - 晶体管 IGBT COPAK D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.27V
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
上升时间:34ns
功率, Pd:60W
功耗:60W
封装类型:D2-PAK
封装类型, 替代:TO-263
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:16A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:32A
表面安装器件:表面安装
|
上海 0
新加坡2
英国635 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STGW39NC60VD - 晶体管 IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:80A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
上升时间:13ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:70A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:220A
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡 0
英国31 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STGW30NC60WD - 晶体管 IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:60A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:200W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
上升时间:12ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:60A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:200A
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡190
英国 0 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STGW35NB60SD - 晶体管 IGBT TO-247 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:70A
饱和电压, Vce sat 最大:1.7V
最大功耗:200W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
上升时间:70ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:70A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:250A
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡12
英国9 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STGF20NB60S - 晶体管 IGBT TO-220FP |
晶体管类型:IGBT
???和电压, Vce sat 最大:1.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220FP
上升时间:70ns
功率, Pd:40W
功耗:40W
封装类型:TO-220FP
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:13A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:70A
表面安装器件:通孔安装
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STGP10NC60HD - 晶体管 IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极??流电流:20A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:65W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
上升时间:5ns
功率, Pd:60W
功耗:65W
封装类型:TO-220
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:20A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:40A
表面安装器件:通孔安装
|
上海 0
新加坡20
英国 0 |
1 |
1 |
|
 |
POWEREX - CM600DY-12NF - 晶体管 IGBT模块 2400W 600A 600V |
晶体管 IGBT模块 2400W 600A 600V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4RC10SDTRPBF - 晶体管 IGBT 38W Vceo:600V DPAK |
晶体管 IGBT 38W Vceo:600V DPAK
|
无库存 |
1 |
2000 |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4RC10KDTRPBF - 晶体管 IGBT 38W DPAK |
晶体管 IGBT 38W DPAK
|
无库存 |
1 |
2000 |
|
| 共 18 页 | 第 7 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
