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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SANYO - MCH3374-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 3A MCPH3 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-3A
电压, Vds 最大:-12V
开态电阻, Rds(on):70mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:8V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:3
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:3A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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上海 0
新加坡 0
英国20 |
1 |
1 |
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SANYO - FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96 |
晶体管极性:Dual N Channel
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):22mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:8A
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上海 0
新加坡 0
英国96 |
1 |
1 |
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SANYO - FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):40mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:6A
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上海 0
新加坡 0
英国424 |
1 |
1 |
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SANYO - FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96 |
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:35V
开态电阻, Rds(on):33mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:35V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:6A
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上海 0
新加坡 0
英国98 |
1 |
1 |
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SANYO - FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96 |
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:45V
开态电阻, Rds(on):37mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:45V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:5A
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上海 0
新加坡 0
英国60 |
1 |
1 |
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SANYO - FW342-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 30V SOT96 |
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):33mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:6A
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无库存 |
1 |
1 |
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SANYO - FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96 |
晶体管极性:Dual N Channel
漏极电流, Id 最大值:6A
电压, Vds 最大:45V
开态电阻, Rds(on):34mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:2.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-96
针脚数:8
封装类型:SOT-96
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:45V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:6A
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上海 0
新加坡 0
英国87 |
1 |
1 |
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SANYO - EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):150mohm
电压 @ Rds测量:4V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
功耗:1.2W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:EMH8
针脚数:8
封装类型:EMH8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:12V
电流, Id 连续:1A
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8654-TL-H - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 5A ECH8 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):38mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECH8
针脚数:8
封装类型:ECH8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:3A
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上海 0
新加坡 0
英国7 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8 |
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):260mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECH8
针脚数:8
封装类型:ECH8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:1A
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上海 0
新加坡 0
英国93 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8 |
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):93mohm
电压 @ Rds???量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECH8
针脚数:8
封装类型:ECH8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:1.5A
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上海 0
新加坡 0
英国585 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8 |
晶体管极性:Dual N Channel
漏极电流, Id 最大值:2A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):260mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECH8
针脚数:8
封装类型:ECH8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:1A
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上海 0
新加坡 0
英国90 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8411-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 9A ECH8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:9A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):16mohm
电压 @ Rds测??:4V
电压, Vgs 最高:12V
功耗:1.4W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECH8
针脚数:8
封装类型:ECH8
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:9A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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无库存 |
1 |
1 |
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SANYO - ECH8304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 9.5A ECH8 |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-9.5A
电压, Vds 最大:-12V
开态电阻, Rds(on):16mohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:9V
功耗:1.6W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECH8
针脚数:8
封装类型:ECH8
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电流, Id 连续:9.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
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上海 0
新加坡 0
英国886 |
1 |
1 |
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SANYO - EC4407KF-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 1.3A ECSP1208 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1.3A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):224mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:400mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ECSP1208
针脚数:4
封装类型:ECSP1208
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:1.3A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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上海 0
新加坡 0
英国100 |
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