SANYO - ECH8304-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 9.5A ECH8
制造商:SANYO
库存编号:
制造商编号:ECH8304-TL-E
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国886
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 7.78
价格:
库存编号:
制造商编号:ECH8304-TL-E
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国886
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 7.78
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1 - 24 | CNY 7.78 |
25 - 99 | CNY 6.56 |
100 - 249 | CNY 5.34 |
250 - 499 | CNY 4.56 |
500+ | CNY 3.78 |
描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-9.5A
- 电压, Vds 最大:-12V
- 开态电阻, Rds(on):16mohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:9V
- 功耗:1.6W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:ECH8
- 针脚数:8
- 封装类型:ECH8
- 晶体管类型:Switching
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:12V
- 电流, Id 连续:9.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
产品属性:
重量(公斤):0.00002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-9.5A
- 电压, Vds 最大:-12V
- 开态电阻, Rds(on):16mohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 电压, Vgs 最高:9V
- 功耗:1.6W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:ECH8
- 针脚数:8
- 封装类型:ECH8
- 晶体管类型:Switching
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds 典型值:12V
- 电流, Id 连续:9.5A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V