| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
SEMIKRON - SK30DGDL066ET - 桥式整流器 3相 |
模块配置:串联 晶闸管 + 二极管
集电极直流电流:38A
饱和电压, Vce sat 最大:1.85V
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-40°C to +175°C
封装类型:Semitop 3
封装类型:Semitop 3
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:螺丝安装
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
电压, Vdrm:800V
电压, Vrrm:800V
电流, If @ Vf:30A
电流, Itsm (50Hz):370A
|
上海 0
新加坡 0
英国8 |
1 |
1 |
  |
|
SEMIKRON - SK75DGDL066T - 桥式整流器 3相 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:81A
饱和电压, Vce sat 最大:1.85V
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-40°C to +175°C
封装类型:Semitop 4
封装类型:Semitop 4
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:175°C
表面安装器件:螺丝安装
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
电压, Vdrm:800V
电压, Vrrm:800V
电流, If @ Vf:35A
电流, Itsm (50Hz):700A
|
上海 0
新加坡 0
英国6 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SK25DGD065ET - 桥式整流器 3相 |
模块配置:串联 晶闸管 + 二极管
集电极直流电流:30A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:Semitop 3
封装类型:Semitop 3
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
电压, Vdrm:800V
电压, Vrrm:800V
电流, If @ Vf:25A
电流, Igt:100mA
电流, Itsm:370A
电流, Itsm (50Hz):370A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SK9DGD065ET - 桥式整流器 3相 |
模块配置:串联 晶闸管 + 二极管
集电极直流电流:12A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:Semitop 3
封装类型:Semitop 3
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
晶闸管/双向晶闸管类型:晶闸管/二极管模块
电压, Vdrm:800V
电压, Vrrm:800V
电流, If @ Vf:20A
电流, Itsm:220A
电流, Itsm (50Hz):220A
|
上海 0
新加坡 0
英国7 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SKM 100GB123D - 晶体管 IGBT模块 100A |
晶体管 IGBT模块 100A
|
美国 0
上海 0
美国12
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SKM 100GAL123D - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
|
美国 0
上海 0
美国13
新加坡 0 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SK100GD126T - 晶体管 IGBT模块 6单元 114A 1200V 沟槽(Trench)技术 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:114A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 4
封装类型:SEMITOP 4
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:33ns
下降时间:88ns
最大连续电流, Ic:114A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:200A
饱和电压 Vce sat 典型值:1.7V
|
上海 0
新加坡 0
英国4 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SK50GD126T - 晶体管 IGBT模块 6单元 68A 1200V 沟槽(Trench)技术 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:68A
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 4
封装类型:SEMITOP 4
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:5.6ns
下降时间:5.6ns
最大连续电流, Ic:68A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:100A
饱和电压 Vce sat 典型值:1.7V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SK200GD066T - 晶体管 IGBT模块 6单元 158A 600V 沟槽(Trench)技术 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:174A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:1V
工作温度范围:-40°C to +175°C
封装类型:SEMITOP 4
封装类型:SEMITOP 4
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:568ns
下降时间:48ns
最大连续电流, Ic:174A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:400A
饱和电压 Vce sat 典型值:1.45V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SK100GD066T - 晶体管 IGBT模块 6单元 96A 600V 沟槽(Trench)技术 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:105A
饱和电压, Vce sat 最大:1.85V
电压, Vceo:1.1V
工作温度范围:-40°C to +175°C
封装类型:SEMITOP 4
封装类型:SEMITOP 4
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:128ns
下降时间:91ns
最大连续电流, Ic:100A
电压, Vces:600V
饱和电压 Vce sat 典型值:1.85V
|
上海 0
新加坡 0
英国2 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SK100DGDL066T - 晶体管 IGBT整流/逆变/制动模块(CIB) 96A 600V |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:106A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-40°C to +175°C
封装类型:SEMITOP 4
封装类型:SEMITOP 4
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:40ns
下降时间:50ns
最大连续电流, Ic:106A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:200A
饱和电压 Vce sat 典型值:1.45V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SK50DGDL126T - 晶体管 IGBT整流/逆变/制动模块(CIB) 68A 1200V |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:68A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 4
封装类型:SEMITOP 4
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:30ns
下降时间:90ns
最大连续电流, Ic:68A
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:100A
饱和电压 Vce sat 典型值:1.7V
|
上海 0
新加坡 0
英国4 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SEMIX202GB066HDS - 晶体管 IGBT模块 2X600V |
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:274A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:1V
工作??度范围:-40°C to +175°C
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:80ns
最大连续电流, Ic:275A
电压, Vces:600V
电压, Vrrm:600V
电流, Icm 脉冲:400A
电流, Ifs 最大:1000A
集电极电流, Ic 平均值:275A
|
上海 0
新加坡4
???国 0 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SEMIX653GB176HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1700V |
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:619A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:1.2V
工???温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SEMiX 3s
封装类型:SEMiX 3s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:90ns
最大连续电流, Ic:650A
电压, Vces:1700V
电压, Vrrm:1700V
电流, Icm 脉冲:900A
电流, Ifs 最大:2900A
集电极电流, Ic 平均值:650A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
|
SEMIKRON - SEMIX452GB176HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1700V |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:430A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:1.2V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:105ns
最大连续电流, Ic:430A
电压, Vces:1700V
电压, Vrrm:1700V
电流, Icm 脉冲:600A
电流, Ifs 最大:2000A
集电极电流, Ic 平均值:430A
|
无库存 |
1 |
1 |
|
| 共 13 页 | 第 11 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
